Una domanda su semplice ESD

B

bigworm

Guest
Ciao, ragazzi,
esd mio problema è la grande capacità di potenza tra la ferrovia e terra.
come lei sa, quando arriva tensione positiva, ha bisogno di grandi tappi fra il potere e per lo scarico GND elettroni
così, è una buona scelta di utilizzare MOS cappuccio dal cappuccio mos ha una maggiore unità di tappi MIM?
ma temo che l'impulso ad alta tensione si distroy MOS di ossido di piombo e al fallimento.si che questo accada?

grazie.BW

 
Il condensatore è il problema?Si tratta di un condensatore di filtraggio?

Si potrebbe utilizzare un diodo in senso inverso?

 
Per potere ferroviario basato protezione ESD e deve prestare attenzione a RC basato morsetto circuiti.Durante ESD caso si comportano come i loro circuiti di grandi capacità.
Se necessario u on-chip condensatore disaccoppiamento condensatori MOS ha il grave inconveniente, si può soffrire di ossido di gate reability problema.

Molti libro sulla protezione ESD avalabile liberamente sul forum.
Se vuoi inserire uno di loro:
Sanjay Dabral, Timothy Maloney - "ESD Basic I / O e Design"

 
di erogazione di energia elettrica basato ESD
un'occhiata a diodo e morsetto di protezione ESD basato circuiti ....

 
Il problema è la porta di ossido di mos condensatore.
Mi auguro che si dispone di un stdtie digitale cell.If si utilizza PMOS come il tappo si può collegare la porta per il vss confronti del stdtie e la fognatura, l'origine e la maggior parte di VDD fornitura.
Anche il vostro chip avrebbe pastiglie per la protezione ESD.
Il potere di rotaie in quanto tale va ad un grande spazio di diffusione che la esd enery può facilmente distribuito.

 

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