Qual è la lunghezza di diffusione effetto?

A

ajaytronic

Guest
Qualcuno può spiegare che cosa è LOD (lunghezza di diffusione) EFF correttamente, ci troviamo ad affrontare questo problema nella bassa tecnologia (90 nm e al di sotto). Come decidiamo picchiettare abbinamento con il considerare LOD. So solo che su di esso è, condividiamo transistor manichini a quello principale per combattere i suoi effetti in modo aumenta la sua il suo livello di dettaglio. Pls mi corregga se sto worng. Se qualcuno ha i documenti relativi oppure il documento, pls lo condividono.
 
le trincee fanno stress meccanico sul cambiamento MOS causa nel comportamento MOS a seconda di come è lontano dalla trincea in modo da utilizzare le dita fittizi diminuire questo effetto causa u mettere le dita lontano dalla trincea durante l'utilizzo di moltiplicatori è meglio sì che tutti i MOS avranno lo stesso stress (più adeguato)
 
È possibile chiamare questo effetto anche STI (effetto trincea shallo isolamento). A causa di questa corrente nei transistor NMOS e PMOS ha effettuato. Per avoide questo effetto nel layout dovete avoide taglio le regioni attive per le coppie appaiate come specchi di corrente, coppie diff ... in otherwards provare USIG dispositivi fingure singoli o doubre allo scopo di corrispondenza. Non usare più di 2 o 3 fingures nel layout particolare per gli specchi di corrente e diff pairs.If u in grado di mantenere finfures singoli tutto il modo si otterrà i sims estratti vicino ai vostri schemi.
 
Ciao a tutti, Grazie per l'aiuto. qualcuno può spiegare matcing LOD. lsuppose A è avere 3 dita & B sta avendo 4 dita con lo stesso W / L. Come noi che pagherai. Possiamo utilizzare manichini condivisi di lunghezza minima (consentito dalla tecnologia) qui.
 
Suppongo che tu non guardare il link che ho postato ... Plz controllare a pagina 7 per la risposta della tua domanda ...
 

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