PS, PD di un MOSFET

L

leohart

Guest
qual è il PS e PD dei seguenti mosfet?
Si dice 8lambda W in questa diapositiva, ma
il libro
di Allen, ha detto che è 8lambda
2 W?
Qual è il giusto? Lascia la tua opinione pls ragazzi ~
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Cari leohart,

Penso che la relazione in allegato immagine è corretta,
in quanto un lato della Fonte / Drain bivio si trova di fronte al canale attivo e quindi non esiste un impianto sul campo che a bordo del risultato atteso parassitarie tappo (o il parassita cappuccio essere molto più piccolo!).Ecco perché, se nella stessa immagine ci sono due dita di cancello poli-Si, il nodo centrale avrebbe "perimetro λ = 4" e non "4λ W" per il calcolo parassitarie sua capacità, a partire dalla metà incrocio dovrebbe affrontare canali attivi sul entrambi i suoi lati.
Questa relazione è usato anche in "Analog Integrated Circuit Design" di Johns & Martin [P.99, nota a piè di pagina]

Saluti,
EZT

 
grazie, ma di cui capisco perché "o il parassita tappo sarebbe molto più piccoli!"e dovrebbe essere per la metà 8lambda svincolo suppongo ...

 
Cari leohart,

"Poiché non vi è un campo-impianto, lungo il bordo, la capacità di fianco vi è quindi più piccoli".Queste sono le esatte parole quasi in Johns & Martin libro.Beh, penso che ci possono ancora esistere alcune piccole parassitarie cap.fringing o a causa di alcuni altri fenomeni, ma sicuramente è abbastanza piccolo che può essere ignorato!

A proposito di "4λ" o "8λ" realmente dipende dal set di regole di progettazione (DRS) della vostra tecnologia di elaborazione.Credo che la mia ultima frase in risposta potrebbe essere sostituito con "il nodo centrale avrebbe" perimetro = 8λ "e non" 8λ W "per calcolare la sua capacità parassita".Tuttavia, può essere giusto, a partire dalla metà di giunzione può non avere alcun contatto (in molte strutture) e, di conseguenza, in molti
a base di lambda DRS la distanza tra due dita porta può essere pari a "2λ",
e quindi il perimetro del centro di giunzione ridurrebbe a "4λ".

Saluti,
EZT

 

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