per quanto riguarda dimensioni bjt?

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manish12

Guest
Penso solo che, per mos siamo cambiamento w / l per guadagno o id correnti per la progettazione. che dire bjt? qual è il rapporto tra la beta e le sue dimensioni (per bjt)?
 
bjt in genere la grandezza emettitore viene variata ..... quando viene variato il numero di portatori maggioritari emessi varia e varia di conseguenza i parametri di transistor come il beta ... Anche qui il drogaggio può essere variata per variare i parametri beta e altri ....
 
per la progettazione del layout. come posso variare la dimensione di emettitore in modo esatto. Qualsiasi eqn?
 
in generale, la dimensione bjt emettitore è vario ..... quando viene variato il numero di portatori maggioritari emessi varia e varia di conseguenza i parametri di transistor come il beta ...
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Manish, Sei di fronte ad un bjt laterale o un bjt verticle? Il motivo è la raccomandazione Srinivasan vale solo per un bjt laterale, ad esempio. laterale pnp o npn dispositivi. Per un bjt verticle, "idealmente" il beta non dovrebbe variare di dimensioni emettitore, fornendo non stanno operando nella zona di alta-iniezione. Ad esempio, se si aumenta la larghezza di emettitore, questo sarà anche aumentare la resistenza di base della serie che farà beta a cadere a più alto Vbe o valori Ic, che è vicino o al di alta iniezione regime del dispositivo. Vi è un altro effetto sottile a causa della emettitore / base del profilo, che si differenzia dalla società / fonderia ad azienda / fonderia. Ciò causa beta per aumentare o diminuire a seconda del rapporto tra l'area di emettitore inferiore a zona emettitore periferia. Non voglio perdere tempo alla gente di entrare nei dettagli su questo.
 
Normalmente sotto controllo layout è possibile variare la dimensione emettitore aumentando in lunghe strisce sottili interdigitati dal pickup di base per ridurre al minimo gli effetti di resistenza di base, ma non credo che questo vi aiuterà molto in termini di β dal l'area di base e quindi la corrente di base è anche in aumento. Ciò anche aiutare a ottenere una maggiore corrente dal transistor. Maggiore corrente può essere garantita anche collegando molti transistor in parallelo, anche se questo può consumare zona ancora un po '. Ma questo è il motivo per cui può essere preferibile a rispettare la sua unità di transistor e dimensioni che con la creazione di multipli di esso o utilizzare gli schemi di circuiti per migliorare β. Poiché queste unità possono essere ben caratterizzato dalle persone modellazione
 
Anand Srinivasan è giusto .. beta in bjt dipende dall'area dell'emettitore .. Maggiore è la dimensione più vettori sono iniettati collettore. Il processo BJT ottimizza il transistor npn a costo di pnp. in modo che il guadagno di npn si aggirano intorno a 100-150 mentre quello di pnp sarà di circa 30-50. Per dimensioni emettitore è interessato la fonderia sarà fissare una unità di area .. per esempio 1 unità di area = 200 micron quadrati per npn e pnp 1 unità di area = 180 micron quadrati .. quindi se nello schema c'è un npn di dimensioni dell'unità 2 .. si inizierà disegnando 2X200 = 400 mq emettitore micron area .. radice quadrata di 400 = 20 .. emettitore contiene un'area quadrata di lato 20 micron .. Grazie
 
Krn, Come ho detto prima l'area del trasmettitore dipende soprattutto da un BJT di tipo laterale. Per un bjt verticle normale, beta è fortemente dipendente dal livello di carica della base (Qb). Se non si controllano le spese di base, si avrà un processo incasinato bipolare. In un tipico flusso del npn è un dispositivo verticle e le PNP sono un dispositivo laterale. La carica di base (Qb) dipende area della regione di base. La verticle npn di solito hanno una larghezza di base molto più stretta della larghezza di base di un dispositivo PNP laterale. Pertanto, il Qb è molto diversa tra i due dispositivi, quindi il PNP laterale ha un beta molto inferiore alla verticle npn BJT.
 
Sono d'accordo con krashkeoloha .. anche in laterale pnp i vettori si muovono lungo la superficie del collettore emettitore per raggiungere lo circonda .. a causa di discontinuità ed effetti di superficie alcune delle accuse viene combinato .. quindi il guadagno sarà meno .. ma in verticale NPN a causa di NBL e profonde regioni n + riduce la resistenza del collettore facendo la maggior parte dei vettori per raggiungere guadagno collettore in modo più .. Inoltre bisogna aumentare la dimensione dell'emettitore per evitare termica (grande flusso di corrente in una piccola area) runaway .. Grazie
 
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