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chang830
Guest
rfsystem ha scritto:Ti ha suggerito un NPN, ma con NWELL come base.
Che non funziona!
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rfsystem
Guest
Le prestazioni del
N / PWELL / NWELL
NPN dipendono forte sulla larghezza della base.Quindi la differenza tra la diffusione PWELL e N .Penso che questo non è controllabile precisione di alcuni 100nm.Così il comportamento dinamico di questo NPN verticali sarebbe molto inferiore, credo circa 10 in confronto ad un NPN poly-emitter/poly-base.Se il processo non ha ancora una BL N (strato sepolto) la densità di corrente sarà ancora limitato.Così anche per la bassa frequenza durante la guida vi è un limite.
Richiesta di una serie limitata del modello e quindi si può giudicare in base ai risultati.PECL potrebbe essere molto simile fatta di NMOS.Non vi è motivo per me di usare una Med-prestazioni NPN per questo.
N / PWELL / NWELL
NPN dipendono forte sulla larghezza della base.Quindi la differenza tra la diffusione PWELL e N .Penso che questo non è controllabile precisione di alcuni 100nm.Così il comportamento dinamico di questo NPN verticali sarebbe molto inferiore, credo circa 10 in confronto ad un NPN poly-emitter/poly-base.Se il processo non ha ancora una BL N (strato sepolto) la densità di corrente sarà ancora limitato.Così anche per la bassa frequenza durante la guida vi è un limite.
Richiesta di una serie limitata del modello e quindi si può giudicare in base ai risultati.PECL potrebbe essere molto simile fatta di NMOS.Non vi è motivo per me di usare una Med-prestazioni NPN per questo.
C
chang830
Guest
Salve,
Sono deisgning un blocco che è uscita PECL.Ho trovato il mio processo di fornire un Tr NPN e così ho intenzione di usare per implementare il livello PECL.TR NPN è N / P / topologia NWELL.La base si trova nella NWELL.
I comunicati con il foundr, hanno detto, anche se questo dispositivo è availble, non è mai testato, quindi non in grado di garantire se si hanno tutti i rischi.Hanno detto che la versione beta di questo dispositivo è di 20 o giù di lì.
Vuoi pls.dare consigli ad utilizzare questo dispositivo?Dei rischi?Che dire del suo permance in produzione di massa?
Grazie
Sono deisgning un blocco che è uscita PECL.Ho trovato il mio processo di fornire un Tr NPN e così ho intenzione di usare per implementare il livello PECL.TR NPN è N / P / topologia NWELL.La base si trova nella NWELL.
I comunicati con il foundr, hanno detto, anche se questo dispositivo è availble, non è mai testato, quindi non in grado di garantire se si hanno tutti i rischi.Hanno detto che la versione beta di questo dispositivo è di 20 o giù di lì.
Vuoi pls.dare consigli ad utilizzare questo dispositivo?Dei rischi?Che dire del suo permance in produzione di massa?
Grazie
R
rfsystem
Guest
Per un non-CMOS strato sepolto processo credo che il 20 è poco elevato.I valori tipici per la beta sono tra 5 e 20.Sepolta livello, in cui l'impurità inversione tra il NWELL e N BL riflettono le minoranze, può dare fino a 50 come base di guadagno corrente.
L'emettitore piazza è tipica P circondato da un cancello-poli.Fabs maggior parte chiamare il PNP quindi poli PNP, o di breve PPNP.L'ossido di campo limitato N * regione definisce un FPNP.
Ti ha suggerito un NPN, ma con NWELL come base.Che non funziona!Il avaible PPNP è lento e ha una bassa densità di corrente massima.Così è utilizzato solo per l'applicazione DC speciali per cui è meglio che il PMOS o una singola P / diodo NWELL.Applicazione Thes sono rari.
L'emettitore piazza è tipica P circondato da un cancello-poli.Fabs maggior parte chiamare il PNP quindi poli PNP, o di breve PPNP.L'ossido di campo limitato N * regione definisce un FPNP.
Ti ha suggerito un NPN, ma con NWELL come base.Che non funziona!Il avaible PPNP è lento e ha una bassa densità di corrente massima.Così è utilizzato solo per l'applicazione DC speciali per cui è meglio che il PMOS o una singola P / diodo NWELL.Applicazione Thes sono rari.