T
triquent
Guest
Ho cercato di simulare un inverter, ma ho alcuni problemi:
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
Sto usando livello di 49 parametri del modello.Qualcuno ha idea di come risolvere il problema?
----- Il mio codice ----------------
. opzione scala = 1u sonda post accurate
PMOS tsmc18dP. lib ''
. lib 'NMOS tsmc18dN'
VDD VDD!0 1,2
vgnd GND!0 0
vin in 0 pwl 0 0 1ns 0 1.2ns 1,2 2ns 1,2
MN0 in gnd!GND!TSMC18dN W = 270n L = 180.0n M = 1
MP0 in VDD!VDD!TSMC18dP W = 270n L = 180.0n M = 1
. tran 0.01ns 2ns
. v sonda (in) V (out)
. fine
------ File di output Hspice con errori ----------
* WARNING ** entrambi i nodi della fonte 0: vgnd
sono collegati tra loro
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmp0 cdsat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cdsat a epsmin
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmp0 cssat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cssat a epsmin
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmn1 cdsat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cdsat a epsmin
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmn1 cssat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cssat a epsmin
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
***** Di lavoro interrotto
1 ****** HSPICE - V-2004,03 (20040116) 16:51:52 11/08/2005 solaris
******
************************************************** **********************
****** Statistiche tnom lavoro di sintesi = 25,000 temp = 25,000
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
Sto usando livello di 49 parametri del modello.Qualcuno ha idea di come risolvere il problema?
----- Il mio codice ----------------
. opzione scala = 1u sonda post accurate
PMOS tsmc18dP. lib ''
. lib 'NMOS tsmc18dN'
VDD VDD!0 1,2
vgnd GND!0 0
vin in 0 pwl 0 0 1ns 0 1.2ns 1,2 2ns 1,2
MN0 in gnd!GND!TSMC18dN W = 270n L = 180.0n M = 1
MP0 in VDD!VDD!TSMC18dP W = 270n L = 180.0n M = 1
. tran 0.01ns 2ns
. v sonda (in) V (out)
. fine
------ File di output Hspice con errori ----------
* WARNING ** entrambi i nodi della fonte 0: vgnd
sono collegati tra loro
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmp0 cdsat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cdsat a epsmin
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmp0 cssat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cssat a epsmin
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmn1 cdsat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cdsat a epsmin
** ATTENZIONE ** dispositivo MOSFET 0: mmn1 cssat è troppo piccolo a temperatura 25,000
value = 1.23453E-37, reset cssat a epsmin
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** Errore di lunghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** errore larghezza efficace canale per CV <= 0
Dispositivo: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
***** Di lavoro interrotto
1 ****** HSPICE - V-2004,03 (20040116) 16:51:52 11/08/2005 solaris
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****** Statistiche tnom lavoro di sintesi = 25,000 temp = 25,000