Domanda su diodi PIN e Insertion Loss

[Thepretender76]

Ciao

Sto facendo un limitatore di potenza con diodi PIN deviati.Se si considera a diodi PIN con diversi spessori regione intrinseca, vi è perdita di inserzione di più con una thiner I diodi regione Pin o no?Perché?È a causa della capacità Jonction?

Grazie per la tua rispostaAggiunto dopo 3 ore e 42 minuti:qualche idea?

Per favore

 

[vfone]

Citazione dalla rete:
"Aumentare le dimensioni della regione intrinseca (e la sua carica immagazzinata) consente il diodo ad assomigliare ad un resistore a frequenze più basse.Pregiudichi il tempo necessario per spegnere il diodo e la sua capacità di shunt.Diodi PIN sarà concepita per un uso particolare. "

 

[biff44]

Beh, sì, in qualche misura, un diodo limitatore con una sottile regione sarò lossier.È perché non è possibile dope un diodo bruscamente da P a materiale N.Varia da essere tutti P su un lato della regione che, a tutti N sull'altro lato della regione I.Così per gran parte del centro della regione che, si è a bassa resistività (perdita) di silicio.Una regione più spesso mi permette di mezzo la regione che più approssimativa un isolatore lossless.

 

[Thepretender76]

biff44 ha scritto:

Beh, sì, in qualche misura, un diodo limitatore con una sottile regione sarò lossier.
È perché non è possibile dope un diodo bruscamente da P a materiale N.
Varia da essere tutti P su un lato della regione che, a tutti N sull'altro lato della regione I.
Così per gran parte del centro della regione che, si è a bassa resistività (perdita) di silicio.
Una regione più spesso mi permette di mezzo la regione che più approssimativa un isolatore lossless.

 

[Thepretender76]

qualche idea?per favore

 

[biff44]

Thepretender76 ha scritto:biff44 ha scritto:

Beh, sì, in qualche misura, un diodo limitatore con una sottile regione sarò lossier.
Questo è perché non è possibile dope un diodo bruscamente da P a materiale N.
Varia da essere tutti P su un lato della regione che, a tutti N sull'altro lato della regione I.
Così per gran parte del centro della regione che, si è a bassa resistività (perdita) di silicio.
Una regione più spesso mi permette di mezzo la regione che più approssimativa un isolatore lossless.