comune centroide VS spostano oltre

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pavelni

Guest
Ciao tutti!
Ho il problema successivo:
I'm designign la LNA per RF (circa 1 GHz).Ho una questione con la progettazione del layout della coppia differenziale.
Vi è un modo di progettazione - utilizzando del comune-centroide per techique differenziale coppia.Ma invece di comune centroide voglio passare ogni transistor gli uni dagli altri e non si mescolino parti di essi.
Potrebbe dirmi se ci sono vantaggi e svantaggi tra queste due tecniche?
Come posso valutare l'influenza dei transistor su ogni altro, in entrambi i casi?
Potrebbe dirmi alcuni libri su questo?
Grazie in anticipo! [/ Img]
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Questo renderà il layout LNA soffrire un enorme ingresso offset a causa della mancata corrispondenza tra i due transistor in coppia differenziale.Questo è il motivo principale per cui il differenziale di coppia è di solito un layout comune centroide-layout.

 
Ma ho visto il programma di lavoro di LNA con questo tipo di layout.Ecco perché ho questa domanda.
Come posso valutare l'mismathch tra due transistor nel layout di questo tipo.Usuale Spectre modellazione non tiene conto della disposizione geometrica transistor nel layout.

 
Nel tuo disegno manuali ci sono lotti di transistor corrispondenti comune per entrambi i layout e-centroide lontano transistor.Si può capire quanto più grande è necessario per progettare questo differenziale coppia se sono molto distanti.Per le dimensioni che non sarà in grado di farli funzionare in GHz ...

 
Purtroppo, non ho manuali di progettazione dove posso capire questo trame

<img src="images/smiles/icon_sad.gif" alt="Triste" border="0" />Oltre Spectre simulazione dimostra che sia comune-centroide e lontani layout fornire GHz.Transistor lunghezza 0,35 um.
C'è qualche equazione che mostra la distanza tra due transistor nel layout?

 
Se non si desidera modificare le dimensioni dei tuoi dispositivi per soddisfare le vostre esigenze di corrispondenza per l'ingresso compensato, spettro non sa lontani questi transistor sono (come lei ha detto in uno dei tuoi post precedenti).

Non ci sono equazioni che mostrano come la distanza tra due transistor colpisce corrispondenti, ma solo dati empirici, riportati nel disegno manuale per quella particolare tecnologia.Se non si dispone di esso, si dovrebbe ottenere uno!

 
Potrebbe rispondere alla seguente domanda:
C'è qualche influenza del transistor su ogni altro, quando sono lontano?
E se sì - che cosa è l'influenza?Forse substrato attuale o qualcos'altro?
Grazie in anticipo!

 
Non stiamo parlando di qualsiasi "influenza" di transistor, ma solo effetti fisici dovuti alla fabbricazione dei dispositivi.Se essi sono di gran lunga esperienza, oltre che ambienti diversi e quindi il loro caratteristiche elettriche sarà diverso (e quindi la creazione di compensare in seguito).Inoltre, se non vi è nulla accade nel substrato, che si desidera avere la coppia differenziale a transistor di sperimentare gli stessi effetti in modo tale che essi saranno soppressi dal comune modo di rigetto.

 

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