come layout 150mA uscita PMOS

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rambus_ddr

Guest
Io sono la progettazione di una corrente di uscita 150mA regolatore.Come faccio a disposizione le grandi dimensioni Pmos.I invertire un dado,
la cui fonte è di fognatura e tapezoid.advantge che è.

 
hey potete inviarmi il invertita schemi!Io sono sempre interessato a invertire tecnica popoli - siete stripping e strati utilizzando fotografie?per rispondere alla tua domanda, come le forme di potere mos cialde, esagono, e aumentare il serpente W mantenendo costante l'area - vale a dire più potere nella stessa zona.

l'inconveniente è ESD e SnapBack - aventi angoli nel vostro morire significa che dovete aggiungere compensare il drenaggio laterale o sul campo di concentrazione provocherà primi ripartizione esd e cattive prestazioni e l'inizio del wearout.150 mA per il conducente, non preoccupatevi troppo su come utilizzare dritto sd bar come nelle normali mosfet layout.ora 2A driver, che
è una storia diversa!

qual
è la sua lunghezza minima?se 1um, I'd aggiungere 1/2um della battuta d'arresto per migliorare la protezione ESD.se è inferiore a 1um,
avrete bisogno di aggiungere più battuta d'arresto.

 
Scusa, io guardo il morire al microscopio.

Penso che il layout di contribuire ad aumentare il rendimento ESD.Poiché la larghezza Pmos è molto più grande, poi da densità di corrente di ingresso pmos è più grande di produzione.Quindi, la larghezza della fognatura di input è più grande.A proposito, non vi è alcuna protezione ESD, ma gli altri pin sono ESD protezione.Che credo che il modo migliore per Pmos ESD prestazioni è una ragione.il nostro è 0.6um lunghezza.Ithink la distanza tra i poli di contatto dovrebbe essere abbastanza piccola per mantenere la piccola VDS a grandi cuurent.Sto pensando adesso, come i nostri layout PMOS, credo che le dimensioni devono essere diversi, con inversione del layout perché diversi processo.Qual è il principio delle dimensioni del design.che hanno qualche consiglio,
ti invitiamo a condividere con noi?grazie!

 
haha - non ho mai pensato a questo problema!effettivo w / l, è più difficile da trovare quando retromarcia trapezio a causa della strana configurazione!che è
un'altra buona idea per il potere mos ..

alla sua domanda - in fondo basta calcolare la resistenza su di un 150 mA passare nel vostro processo, e l'uso che, invece di lavorare su questo strano layout.Credo 1200/0.5u calcolato come 100mA pmos - si può provare che in primo luogo, quindi, se necessario, aumentare W per 0.6u.

ps - siete in grado di inviare alcune foto solo per me?i dc-dc fare in modo lineare di regolamentazione non sono il mio concorrente - questo è tutto tuo!Vorrei solo vedere alcune altre tecniche di inversione

 
Grazie per la risposta.

Poiché il PMOS è applicata per Basso abbandono regolatore, la Vds è richiesto molto basso (circa 0.2V al corrente in uscita 150 mA).Pertanto, la larghezza di PMOS è più grande di 1200.Io uso 12000um/0.6um.Il mio problema principale è il modo di progettare la larghezza della fognatura (o la fonte) a teminal di ingresso e di uscita del terminale, e la distanza tra di fognatura (fonte) a contatto polari.Grazie ancora!

 
Per 0.6um pmos, ho messo su 1um battuta d'arresto tra il cancello e s / d contatto ESD per impedire danni, che dovrebbero passare almeno 2kV.

così 12000 * 2.6u => 31ku ^ 2.o da qualche parte nei pressi di piazza 47 mils.non troppo male.Suggerisco battuta d'arresto sia sul s / d lati perché il dispositivo dovrà resistere esd zaps da entrambi i lati.

 
Salve,
Quando parliamo di layout e che come fare il layout del PMOS aventi rating di 150 mA, U deve prendere a cuore il drenaggio e la fonte e la quantità di larghezza di metallo e mantenimento.

così,
Mantenere una corretta metallo larghezza in base alle attuali valutazioni.e con più metalli in parallelo U layout può fare di più attuale anche in meno spazio e mantenendo più VIAS e può anche ridurre la resistenza.Non per mantenere un livello minimo di dimensione S / D zone, prende più spazio e la connessione con più larghezza di metallo da tenere più VIAS.

 

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